Samsung: Erste 3-nm-Fertigung mit GAA-Transistoren gestartet

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45 Prozent geringeren Strombedarf, 23 Prozent höhere Leistung und 16 Prozent kleinere Fläche verspricht Samsung im Vergleich zum 5-nm-Verfahren. hardware gaming

Darüber hinaus soll auch die Design-Flexibilität von GAA ein wichtiger Punkt sein, um Power, Performance, Area zu steigern.

Im Vergleich zum 5-nm-Prozess kann der 3-nm-Prozess der ersten Generation den Strombedarf demnach um bis zu 45 Prozent senken, die Leistung um 23 Prozent verbessern sowie die Fläche um 16 Prozent reduzieren, während der folgende 3-nm-Prozess der zweiten Generation den Strombedarf um bis zu 50 Prozent senken, die Leistung um 30 Prozent verbessern und die Fläche um 35 Prozent reduzieren soll.

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